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  • 三菱CM1200E4C-34N三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N

    三菱CM1200E4C-34N北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM1200E4C-34N;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • CM900DU-24NFCM900DU-24NF三菱IGBT模塊

    三菱CM900DU-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM900DU-24NF;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM300DY-28H三菱IGBT模塊CM300DY-28H

    三菱CM300DY-28H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DY-28H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DY-34A三菱IGBT模塊CM400DY-34A

    三菱CM400DY-34A北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34A;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱CM400DY-34H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-34H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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  • 三菱CM400DU-34KA三菱IGBT模塊CM400DU-34KA

    三菱CM400DU-34KA北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-34KA;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱CM400DY-50HH北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-50H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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    三菱CM400DY-66H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DY-66H;IGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

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